湖北快三一定牛预测:三星芯片地位一路飙升 首款28纳米eMRAM成为里程碑

CNMO 作者:许薇 王庆芮 2019-03-06 16:52
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安徽快三遗漏号码查询 www.zl3m.cn   【安徽快三遗漏号码查询新闻】三星方面宣布,即将开始批量生产其首款商用eMRAM,并开始出货。该产品基于其28纳米全耗尽FD-SOI的工艺技术。MRAM技术是非易失性的,即使没有电,也不会像NAND闪存一样擦除数据。但它仍然可以像易失性DRAM一样快速处理数据,并被认为是下一代存储器技术。

三星芯片
三星芯片

  三星方面表示,其eMRAM的写入速度比eFlash快一千倍。因为它在写入数据之前不需要擦除周期,同时它还可以克服后者的可扩展性问题。它的功耗也较低,因为它在关闭时不会消耗功率。FD-SOI的工艺技术与eMRAM一样,都是在硅晶圆上放置绝缘膜以减少功率泄漏。

  对于三星这一全球最大的内存芯片制造商来说,此次的成功是一个重要的里程碑。该公司表示这一技术发展将增强其竞争力。三星还表示,其eMRAM??榭梢郧崴刹迦胂钟械穆呒际?,如BULK、FIN和FD-SOI晶体管。

  该公司希望其eMRAM解决方案能够在微控制器单元、物联网和人工智能方面找到应用。三星的代工业务也将eMRAM应用于其片上系统,这将使其产品与竞争对手区别开来。

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